半导体哪些场景需要使用超纯水-专注于净水设备,反渗透设备,纯净水设备解决方案,服务上千用户,定制生产纯净水设备,桶装水设备,无菌车间,纯化水设备获得国家GB标准认证

您當前的位置： 首頁 > 新聞資訊 > 半導體哪些場景需要使用超純水

半導體哪些場景需要使用超純水

來源(yuan)： | 發布日期：2025-01-11

哪些場景(jing)需要使用超純水(shui)，多年從事(shi) 的研發(fa)銷售，可以(yi)根(gen)據客戶需求量身定制(zhi)。

臺積電在(zai)芯片制(zhi)造工藝中廣泛(fan)使用(yong)，超(chao)純水是半導體制(zhi)造過程中不可或缺的關(guan)鍵資源(yuan)。它的使用(yong)對(dui)制(zhi)造工藝(yi)(yi)的各(ge)個(ge)環節(jie)至關重(zhong)要，尤(you)其在確(que)保晶圓的潔凈(jing)度和工藝(yi)(yi)的精(jing)確(que)性方面(mian)。

晶圓(yuan)清(qing)洗：晶圓(yuan)清(qing)洗是超純水(shui)使(shi)用量最大的環節之一(yi)。每(mei)一(yi)塊(kuai)晶圓(yuan)在多個制造步驟中都需要進行清(qing)洗，以去除表面上的顆粒物、化學殘留(liu)物和其他污染物。這(zhe)些清(qing)洗(xi)步驟包括初始清(qing)洗(xi)、工藝中間清(qing)洗(xi)和最終清(qing)洗(xi)等，確(que)保晶圓(yuan)在各個(ge)工藝環節之間保持潔(jie)凈。
蝕刻后清洗(xi)(xi)：在蝕刻過程中，化學物質會選擇(ze)性地去(qu)除(chu)晶(jing)圓上(shang)的(de)特定材料，之后的(de)清洗(xi)(xi)步(bu)驟用(yong)超純水(shui)沖(chong)洗(xi)(xi)蝕刻殘(can)留(liu)物(wu)，以防止任(ren)何殘(can)余(yu)物(wu)質影響下(xia)一步工藝。
光(guang)刻膠去除：光(guang)刻工藝(yi)中，光(guang)刻膠用于掩膜和圖案轉(zhuan)移。在曝(pu)光(guang)和顯影之后，需要(yao)去除光(guang)刻膠，通常采用化學劑加超純水清洗(xi)，以確保(bao)表面沒有任(ren)何殘留(liu)。
化學機械拋光（CMP）后(hou)的(de)清(qing)洗：CMP 工藝用于平整晶圓(yuan)表面，使其達到納米級的(de)平整度。拋光后(hou)，超純水用于沖(chong)洗拋(pao)光液和拋(pao)光產生的殘(can)留物，確(que)保(bao)表面(mian)不受(shou)污染。
冷卻和(he)稀釋：在某些化學工藝中，超純水用于冷卻(que)反應(ying)器或(huo)稀(xi)釋高(gao)濃度的化學溶液，防止(zhi)工藝設備因高(gao)溫(wen)或(huo)高(gao) 濃度化學品(pin)而受損
半導體越(yue)先進，水消耗(hao)強度(du)越(yue)大

隨著半導體(ti)技術的進(jin)步，半導體(ti)上的晶(jing)體(ti)管和其他微小結構變得更加精密。這需要使用(yong)更多的超純水(shui)來進(jin)行清(qing) 洗(xi)、刻蝕(shi)、沉(chen)積(ji)等工藝步驟。相應的(de)，單位半導體產品(pin)的(de)耗(hao)水(shui)量（即產品(pin)耗(hao)水(shui)強(qiang)度(du)）也顯著增(zeng)加(jia)。根據標普全球的(de)測(ce)算，自從(cong)臺積電的半導體制程在 2015 年達(da)到 16nm 以來，每片晶(jing)圓的耗(hao)水量已經增(zeng)加了 35%。