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晶圓清洗：晶圓清洗是超純水使用量最大的環節之一。每一塊晶圓在多個制造步驟中都需要進行清洗，以去除表面上的顆粒物、化學殘留物和其他污染物。這些清洗步驟包括初始清洗、工藝中間清洗和最終清洗等，確保晶圓在各個工藝環節之間保持潔凈。

蝕(shi)刻(ke)(ke)后清洗：在蝕(shi)刻(ke)(ke)過程(cheng)中，化學物(wu)質會(hui)選擇(ze)性地去(qu)除(chu)晶圓上的特(te)定材料，之后的清洗步驟(zou)用(yong)超純水(shui)沖洗蝕(shi)刻(ke)(ke)殘留物(wu)，以防止(zhi)任何(he)殘余(yu)物(wu)質影響下一步工藝。

光刻膠(jiao)(jiao)去除：光刻工藝中(zhong)，光刻膠(jiao)(jiao)用于掩膜(mo)和圖(tu)案轉移。在曝光和顯影之后，需要(yao)去除光刻膠(jiao)(jiao)，通常采用化學劑加超純水清洗，以確保表面沒(mei)有任何(he)殘留。

化(hua)學機械拋(pao)(pao)光(guang)(guang)（CMP）后的(de)清(qing)洗(xi)：CMP 工(gong)藝用于(yu)平(ping)整晶圓表(biao)面，使其達到納米級的(de)平(ping)整度(du)。拋(pao)(pao)光(guang)(guang)后，超(chao)純水用于(yu)沖洗(xi)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)液(ye)和拋(pao)(pao)光(guang)(guang)產生的(de)殘留物，確保表(biao)面不(bu)受污染。

冷卻和稀釋：在某些化(hua)學工藝中，超純水用(yong)于冷卻反應器或稀釋高(gao)濃度的化(hua)學溶液，防(fang)止工藝設備(bei)因高(gao)溫或高(gao)濃度化(hua)學品而受損(sun)

半導體越先進，水消耗強度越大,對超純水設備的技術要求就很高。一家專(zhuan)注水處理(li)設備的源頭(tou)工廠， 在選擇使用反滲透設備時，一定要按規操作，通過上文反滲透設備的使用優點和注意事項的簡單介紹，如果你還存在疑問，你可以拔打我們的24   小(xiao)時(shi)熱線，聯(lian)系(xi)我們時(shi)請告知在百度上看到的，就會有專業的水處理工程師根據你的需求制定適(shi)合你用水的水處理解決方案。